無功補償是電力系統(tǒng)及電力設(shè)備穩(wěn)定運行的重要保障,無功補償設(shè)備也是輸配電網(wǎng)必備的重要設(shè)備。無功補償設(shè)備大致可分為三類:調(diào)相機、靜止無功補償裝" />
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無功補償設(shè)備主要分類簡介

發(fā)布時間:2017-12-04

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發(fā)布者:未知

    襄陽源創(chuàng)電氣小王告訴我們:無功補償是電力系統(tǒng)及電力設(shè)備穩(wěn)定運行的重要保障,無功補償設(shè)備也是輸配電網(wǎng)必備的重要設(shè)備。無功補償設(shè)備大致可分為三類:調(diào)相機、靜止無功補償裝置(Static Var Compensator, SVC )、靜止無功發(fā)生裝置(Static Var Generator, SVG )。
 
    調(diào)相機或稱同步調(diào)相機、同步補償機是較早出現(xiàn)的一類無功補償設(shè)備。調(diào)相機實際是一臺空載運行的同步電動機,利用同步電動機在不同勵磁電流下的發(fā)出或吸收無功電流的能力起到無功補償作用。當(dāng)正常勵磁時,調(diào)相機的電樞電流接近于零;過勵磁時,調(diào)相機向電網(wǎng)發(fā)出無功電流;欠勵磁時,調(diào)相機從電網(wǎng)中吸收無功電流。因此,調(diào)相機經(jīng)常運行在過勵狀態(tài),勵磁電流較大,損耗也比較大,發(fā)熱比較嚴(yán)重。為方便運行起見,調(diào)相機一般與發(fā)電廠中的同步發(fā)電機組或負(fù)荷端的異步電動機組安裝在一起,容量較大的調(diào)相機還需要采用氫氣冷卻。以上缺點均大大限制了調(diào)相機的應(yīng)用范圍,目前除在高壓直流輸電線路的終端作動態(tài)無功支持外,已很少使用。
 
    SVC 是目前應(yīng)用最為廣泛的一類無功補償設(shè)備。單就字面而言,SVC 中的“Static ”即靜止,是相對于調(diào)相機的旋轉(zhuǎn)而言,因此除調(diào)相機和SVG 之外,凡是用電感或電容進(jìn)行無功補償?shù)难b置均可稱作SVC 。按國際大電網(wǎng)會議的定義,SVC 可分為以下7類:機械投切電容器(MSC )、機械投切電抗器(MSR )、自飽和電抗器(SR )、晶閘管控制電抗器(TCR )、晶閘管投切電容器(TSC )、晶閘管投切電抗器(TSR )、自換向或電網(wǎng)換向轉(zhuǎn)換器(SCC/LCC)。實際上以上7類仍未能涵蓋全部SVC 設(shè)備,例如MCR(Magnetic Control Reactor)——磁閥式可控電抗器設(shè)備以及由以上兩類或幾類技術(shù)混合構(gòu)成的設(shè)備。一般認(rèn)為應(yīng)慎重使用SVC 這一名詞,因為其所能指代的范圍過于寬泛。
 
    在種類繁多的SVC 設(shè)備中,一般可按控制/投切設(shè)備的種類分為機械投切型及電力電子型兩大類,通常所稱的SVC 設(shè)備也是指這兩類。前者一般包括機械投切電容器(MSC )、機械投切電抗器(MSR )等,共同特點是采用機械投切開關(guān)如接觸器、遙控斷路器等作為投切設(shè)備,其優(yōu)點是魯棒性較好、不易受諧波干擾等,缺點則是響應(yīng)時間長、一般只能分級投入不易實現(xiàn)動態(tài)無級補償?shù)?。后者一般包括晶閘管控制電抗器(TCR )、晶閘管投切電容器(TSC )、晶閘管投切電抗器(TSR )等,其優(yōu)點是響應(yīng)速度快、控制精度較好、能實現(xiàn)過零投切、具備動態(tài)補償能力等,缺點則是電力電子器件易受諧波干擾。隨著電力電子技術(shù)的發(fā)展,電力電子型SVC 設(shè)備有逐漸取代機械投切型SVC 設(shè)備的趨勢。
 
    SVG (Static Var Generator)與SVC 一樣,也是一種“靜止”設(shè)備,是近年出現(xiàn)的新一代無功補償設(shè)備。SVG 以IGBT 模塊構(gòu)成的電壓源型逆變器為核心,通過實時檢測負(fù)載電流波形,并調(diào)節(jié)橋式整流電路交流側(cè)輸出電流達(dá)到調(diào)節(jié)負(fù)載電流的幅值和相位的目的。通過以上調(diào)節(jié),可以吸收或者發(fā)出滿足要求的無功電流,實現(xiàn)動態(tài)無功補償。SVG 具有響應(yīng)速度快、吸收無功連續(xù)、產(chǎn)生的高次諧波量小、調(diào)節(jié)范圍廣、耗損與噪音小等突出優(yōu)點。 SVG的主要問題是電壓等級和容量受IGBT 器件性能限制,較難做到較高電壓等級和較大規(guī)模容量,目前一般在1kV 以下電壓等級應(yīng)用較為廣泛。
 
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